無壓燒結碳化硅
無壓燒結碳化硅SSiC和熱壓燒結SiC
無壓燒結SiC它是采用細SiC微粉(粒度約在0.1～0.2微米)加適當的添加劑、粘結劑壓制成型，然后再2000～2200攝氏度的溫度下燒結而成的。適合用于數量少、規格品種多的機械密封環。
熱壓燒結SiC它由粒度小于等于1微米的SiC粉加上適當的添加劑，裝入石墨模具內，在2000～2100攝氏度的熱壓爐中加壓(30～50MPa)制成
的。它是SiC中化學穩定性好的一種。這是因為在氧化氣氛下，表層生成一種保護性的SiO2膜的緣故。這種SiC用作耐腐蝕密封摩擦副環性能好。
以下是常用材質的腐蝕液體中的測試結果
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測試環境 |
腐蝕性失重（mg/cm2yr） |
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試劑濃度（Wt%） |
溫度（°C） |
無壓燒結碳化硅 |
反應燒結碳化硅 |
碳化鎢 |
氧化鋁 |
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98%H2SO4 |
100 |
1.8 |
55.0 |
＞1000 |
65.0 |
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50%NaOH |
100 |
2.5 |
＞1000 |
5.0 |
75.0 |
|
53%HF |
25 |
＜0.2 |
7.9 |
8.0 |
20.0 |
|
85%H3PO4 |
100 |
＜0.2 |
8.8 |
55.0 |
＞1000 |
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70%HNO3 |
100 |
＜0.2 |
0.5 |
＞1000 |
7.0 |
|
45KOH |
100 |
＜0.2 |
＞1000 |
3.0 |
60.0 |
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25%HCL |
70 |
＜0.2 |
0.9 |
85.0 |
72.0 |
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10%HF和 57%HNO3 |
25 |
＜0.2 |
＞1000 |
＞1000 |
16.0 |
